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首页 全部分类 IXTY44N10T vs DMNH10H028SK3Q-13

IXTY44N10T备选型号: DMNH10H028SK3Q-13

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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • 配置
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • IXYS
    IXTY44N10T
    IXYS
    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    44A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMV™
    2006
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    雪崩 额定
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    130W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    30m Ω @ 22A, 10V
    4.5V @ 25μA
    1262pF @ 25V
    33nC @ 10V
    47ns
    ±30V
    32 ns
    44A
    TO-252AA
    20V
    100V
    250 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMNH10H028SK3Q-13
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 100V 55A TO252
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    55A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2015
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    28m Ω @ 20A, 10V
    4V @ 250μA
    2245pF @ 50V
    36nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    55A
    -
    -
    -
    43 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    e3
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    未说明
    AEC-Q101
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    100V
    0.028Ohm
    58A
    100V
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