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首页 全部分类 IXXH50N60B3 vs STGW80V60DF

IXXH50N60B3备选型号: STGW80V60DF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 生命周期状态
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
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  • 元素配置
  • 反向恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXXH50N60B3
    IXYS
    IGBT Transistors GenX3 600V XPT IGBTs
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    600V
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    600W
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    600W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    120A
    TO-247AD
    75 ns
    1.8V @ 15V, 36A
    320 ns
    PT
    70nC
    200A
    27ns/100ns
    670μJ (on), 740μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW80V60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 120A 469W TO247
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Exposed Pad
    -
    600V
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    469W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Standard
    469W
    -
    N-CHANNEL
    600V
    120A
    -
    -
    2.3V @ 15V, 80A
    -
    沟渠现场停车
    448nC
    240A
    60ns/220ns
    1.8mJ (on), 1mJ (off)
    20V
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
    38.000013g
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    EAR99
    STGW80
    Single
    60 ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    无铅
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