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首页 全部分类 IXXH50N60B3D1 vs IRG4PC60FPBF

IXXH50N60B3D1备选型号: IRG4PC60FPBF

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 额定电流
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    IXXH50N60B3D1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    28 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    1.55V
    Tube
    GenX3™, XPT™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    175°C
    -55°C
    600W
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    600W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    120A
    25 ns
    TO-247AD
    75 ns
    1.8V @ 15V, 36A
    320 ns
    PT
    70nC
    200A
    27ns/100ns
    670μJ (on), 740μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG4PC60FPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 90A 520W TO247AC
    14 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    1.8V
    Bulk
    -
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    520W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    520W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.8V
    90A
    -
    TO-247AC
    105 ns
    1.8V @ 15V, 60A
    770 ns
    -
    290nC
    360A
    42ns/310ns
    300μJ (on), 4.6mJ (off)
    20V
    6V
    ROHS3 Compliant
    3
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    2000
    EAR99
    FAST
    600V
    90A
    Single
    42 ns
    39ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    Unknown
    无
    无铅
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