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首页 全部分类 IXXX100N60C3H1 vs IXXR100N60B3H1

IXXX100N60C3H1备选型号: IXXR100N60B3H1

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  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • 终止次数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 无铅
  • IXYS
    IXXX100N60C3H1
    IXYS
    IGBT Transistors GenX3 w/Diode XPT 600V
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    Tube
    GenX3™, XPT™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    Matte Tin (Sn)
    695W
    not_compliant
    Standard
    695W
    N-CHANNEL
    2.2V
    170A
    140 ns
    2.2V @ 15V, 70A
    PT
    150nC
    340A
    30ns/90ns
    2mJ (on), 950μJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXXR100N60B3H1
    IXYS
    IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
    6 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    600V
    Tube
    GenX3™, XPT™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    400W
    -
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    1.8V
    145A
    140 ns
    1.8V @ 15V, 70A
    PT
    143nC
    440A
    30ns/120ns
    1.9mJ (on), 2mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    1.5V
    2013
    3
    150°C
    -55°C
    雪崩 额定
    SINGLE
    3
    R-PSIP-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    400W
    ISOLATED
    电源控制
    92 ns
    350 ns
    无铅
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