IXYN100N65C3H1备选型号: APT40GL120JU2

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  • 最大功率耗散
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 输入
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 输入电容
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • IXYS
    IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
    8 Weeks
    Chassis, Stud
    Chassis, Stud Mount
    SOT-227-4, miniBLOC
    38.000013g
    650V
    1.85V
    -55°C~175°C TJ
    XPT™, GenX3™
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    600W
    Single
    600W
    Standard
    2.3V
    166A
    50μA
    4.98nF
    2.3V @ 15V, 70A
    PT
    4.98nF @ 25V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 65A 4-Pin SOT-227
    36 Weeks
    Chassis, Screw, Stud
    Chassis, Stud Mount
    SOT-227-4, miniBLOC
    -
    1.2kV
    -
    -55°C~175°C TJ
    -
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    220W
    Single
    220W
    Standard
    2.25V
    65A
    250μA
    1.95nF
    2.25V @ 15V, 35A
    沟渠现场停车
    1.95nF @ 25V
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    4
    EAR99
    1200V
    20V
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
APT40GL120JU3 APT40GL120JU3 Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SOT-227-4, miniBLOC Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 65A 4-Pin SOT-227 对比