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首页 全部分类 IXYT80N90C3 vs IXBT6N170

IXYT80N90C3备选型号: IXBT6N170

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 质量
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 反向恢复时间
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • IXYS
    IXYT80N90C3
    IXYS
    IGBT 900V 165A 830W TO268
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    SILICON
    900V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    830W
    SINGLE
    鸥翼
    unknown
    R-PSSO-G2
    SINGLE
    COLLECTOR
    Standard
    830W
    电源控制
    N-CHANNEL
    2.7V
    165A
    134 ns
    2.7V @ 15V, 80A
    201 ns
    145nC
    360A
    34ns/90ns
    4.3mJ (on), 1.9mJ (off)
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS
    IXBT6N170
    IXYS
    Trans IGBT Chip N-CH 1.7KV 12A 3-Pin(2 Tab) TO-268
    24 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
    SILICON
    1.7kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    BIMOSFET™
    2008
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Matte Tin (Sn)
    75W
    -
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    -
    COLLECTOR
    Standard
    -
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.7kV
    12A
    104 ns
    3.4V @ 15V, 6A
    700 ns
    17nC
    36A
    -
    -
    20V
    5.5V
    ROHS3 Compliant
    -
    4.500005g
    2.84V
    yes
    低导通损耗
    未说明
    未说明
    4
    不合格
    Single
    75W
    1.08 μs
    1700V
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