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首页 全部分类 IXYX120N120C3 vs APT100GN120B2G

IXYX120N120C3备选型号: APT100GN120B2G

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  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
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  • 引脚数量
  • 接通延迟时间
  • IGBT类型
  • 辐射硬化
  • IXYS
    IXYX120N120C3
    IXYS
    IGBT 1200V 240A 1500W PLUS247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    247
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    GenX3™, XPT™
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1.5kW
    unknown
    R-PSFM-T3
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    1500W
    电源控制
    N-CHANNEL
    3.2V
    240A
    1200V
    105 ns
    3.2V @ 15V, 120A
    346 ns
    412nC
    700A
    35ns/176ns
    6.75mJ (on), 5.1mJ (off)
    20V
    5V
    21.34mm
    16.13mm
    5.21mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT100GN120B2G
    Microsemi Corporation
    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 245A 3-Pin(3 Tab) T-MAX
    24 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3 Variant
    3
    SILICON
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    1999
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    960W
    -
    -
    Single
    COLLECTOR
    Standard
    960W
    电源控制
    N-CHANNEL
    1.2kV
    245A
    1200V
    100 ns
    2.1V @ 15V, 100A
    935 ns
    540nC
    300A
    50ns/615ns
    11mJ (on), 9.5mJ (off)
    -
    6.5V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    e1
    yes
    锡银铜
    HIGH RELIABILITY
    3
    50 ns
    沟渠现场停车
    无
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