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JAN1N5419备选型号: 1N5401

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  • 最高工作温度
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  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 二极管类型
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  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
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  • 输出电流-最大值
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 极性
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 电容@Vr, F
  • 反向电压
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 直径
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    JAN1N5419
    Microsemi Corporation
    Diode Switching 500V 3A 2-Pin Case E
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    B, Axial
    2
    SILICON
    1
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/411
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    175°C
    -65°C
    快速恢复能力
    8541.10.00.80
    WIRE
    2
    MIL-19500/411L
    Qualified
    Single
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    1μA @ 500V
    1.5V @ 9A
    ISOLATED
    -65°C~175°C
    3A
    1.5V
    500V
    3A
    1
    250 ns
    1μA
    500V
    80A
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    1N5401
    ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
    -
    -
    通孔
    通孔
    DO-201AD, Axial
    2
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    -
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    125°C
    -65°C
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    5μA @ 100V
    1.2V @ 3A
    -
    -55°C~150°C
    -
    1.2V
    100V
    3A
    -
    -
    5μA
    100V
    200A
    无
    符合RoHS标准
    Tin
    DO-201AD
    4.535924g
    30pF
    100V
    3A
    1N5401
    Standard
    6.25W
    3A
    3A
    200A
    100V
    3A
    30pF @ 4V 1MHz
    100V
    200A
    5.6mm
    5.6mm
    9.5mm
    5.6mm
    无SVHC
    无铅
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