JANTX2N6766备选型号: FDA38N30
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 无铅代码
- 电阻
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-204AELead, Tin通孔通孔TO-204AESILICON30A Tc-55°C~150°C TJBulkMilitary, MIL-PRF-19500/5431997e0Obsolete1 (Unlimited)2EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)BOTTOMPIN/PEG未说明未说明2O-MBFM-P2QualifiedSINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET4WDRAINN-Channel90m Ω @ 30A, 10V4V @ 250μA115nC @ 10V200V±20V30A20V0.065Ohm200VNon-RoHS Compliant含铅-------------------
- MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET-通孔通孔TO-3P-3, SC-65-3SILICON38A Tc-55°C~150°C TJTubeUniFET™2013e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)--------增强型MOSFET312W-N-Channel85m Ω @ 19A, 10V5V @ 250μA60nC @ 10V-±30V38A30V--ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks36.401gyes85MOhmSingle53 nsSWITCHING2600pF @ 25V110ns54 ns5V300V6.35mm6.35mm6.35mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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