您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 JANTXV2N6756 vs FQP17P10

JANTXV2N6756备选型号: FQP17P10

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • 终端
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 螺纹距离
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    JANTXV2N6756
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 100V 14A
    通孔
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    2
    SILICON
    14A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    Military, MIL-PRF-19500/542
    1997
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    辐射硬化
    BOTTOM
    PIN/PEG
    未说明
    未说明
    MIL-19500/542
    O-MBFM-P2
    Qualified
    SINGLE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    210m Ω @ 14A, 10V
    35nC @ 10V
    100V
    ±20V
    14A
    0.18Ohm
    30A
    100V
    not_compliant
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQP17P10
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 100V 16.5A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    16.5A Tc
    4V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    1999
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8.25A, 10V
    39nC @ 10V
    100V
    ±30V
    -16.5A
    -
    66A
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    9 Weeks
    Tin
    1.8g
    通孔
    190MOhm
    -100V
    -16.5A
    2.54mm
    1
    Single
    100W
    17 ns
    1100pF @ 25V
    200ns
    100 ns
    -4V
    TO-220AB
    30V
    -100V
    -100V
    580 mJ
    175°C
    -4 V
    20.4mm
    10.1mm
    4.7mm
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
SFP9540 SFP9540 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 17A TO-220 对比
SPP15P10P SPP15P10P Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 MOSFET P-CH 100V 15A TO-220AB 对比