KSC1008OTA备选型号: BCX38C
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- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 引脚数量
- 极性
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- TRANS NPN 60V 0.7A TO-92通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3178.2mg60V200mV150°C TJTape & Box (TB)Obsolete1 (Unlimited)60V800mW700mA50MHzKSC1008Single800mW50MHzNPN60V700mA70 @ 50mA 2V100nA ICBO400mV @ 50mA, 500mA80V8V符合RoHS标准无铅-------------------
- TRANS NPN DARL 60V 0.8A TO92-3通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3453.59237mg60V1.25V-55°C~200°C TJBulk活跃1 (Unlimited)60V1W800mA-BCX38Single1W-NPN - Darlington60V800mA10000 @ 500mA 5V100nA ICBO1.25V @ 8mA, 800mA80V10VROHS3 Compliant无铅15 WeeksTinSILICON2012e3yes3EAR99BOTTOMWIRE2603NPN800mA4.83mm4.78mm3.66mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSC1008YTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
![]() | KSC1008CYTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor | 对比 |
![]() | KSC1008GTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSIST | 对比 |




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