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首页 全部分类 L6384E vs FAN7382N

L6384E备选型号: FAN7382N

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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
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  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 输出电流
  • 接通时间
  • 内置保护器
  • STMicroelectronics
    L6384E
    STMicroelectronics
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -45°C~125°C TJ
    Tube
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    750mW
    14.6V~16.6V
    DUAL
    1
    14.4V
    400kHz
    L6384
    8
    580V
    650mA
    15.6V
    14.4V
    25mA
    750mW
    25mA
    300 ns
    Inverting
    200 ns
    50ns
    30 ns
    50ns 30ns
    Synchronous
    2
    0.65A
    IGBT, N-Channel MOSFET
    400mA 650mA
    YES
    0.3 μs
    600V
    3.32mm
    10.92mm
    6.6mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAN7382N
    ON Semiconductor
    IC GATE DRIVER HI LO SIDE 8-DIP
    -
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    1.2W
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    -
    FAN7382
    -
    -
    650mA
    15V
    -
    600μA
    1.2W
    600μA
    300 ns
    Non-Inverting
    300 ns
    140ns
    80 ns
    60ns 30ns
    Independent
    2
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    350mA 650mA
    -
    0.3 µs
    600V
    3.4mm
    9.2mm
    6.4mm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    496mg
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    650mA
    0.3 µs
    UNDER VOLTAGE
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