L6387ED013TR备选型号: ADP3120AJRZ
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 功能数量
- 电源电压
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出的数量
- 输出电压
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 电源电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 传播延迟
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 驱动器数量
- 接通时间
- 关断时间
- IC DRIVER HI/LO SIDE HV 8-SOICACTIVE (Last Updated: 6 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-45°C~125°C TJTape & Reel (TR)e4活跃3 (168 Hours)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)750mW17V MaxDUAL鸥翼115V400kHzL638782580V650mA15V320μA750mW650mA110 nsInverting110 ns50ns30 ns50ns 30nsIndependent0.65AIGBT, N-Channel MOSFET400mA 650mAYES600V4.9mm1.75mm3.9mm无ROHS3 Compliant无铅-------
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC--表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8Half-Bridge-20°C~150°C TJTubee3Obsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)-4.6V~13.2VDUAL鸥翼112V-ADP3120A8--1.5A12V5mA-1.5A70 nsInverting, Non-Inverting70 ns20ns11 ns20ns 11nsSynchronous-N-Channel MOSFET-YES35V4.9mm1.75mm3.9mm-符合RoHS标准-200726040不合格20.045 µs0.07 µs
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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