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首页 全部分类 LE25W81QES00-AH-1 vs SST25VF080B-50-4I-S2AE

LE25W81QES00-AH-1备选型号: SST25VF080B-50-4I-S2AE

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  • 安装类型
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 工作电源电压
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  • 内存大小
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  • 时钟频率
  • 内存格式
  • 内存接口
  • 内存宽度
  • 写入周期时间 - 字符、页面
  • 密度
  • 编程电压
  • 页面尺寸
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 系列
  • 基本部件号
  • 并行/串行
  • 环境温度范围高
  • 高度
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    LE25W81QES00-AH-1
    ON Semiconductor
    Flash Serial 2.6V 8Mbit 1024K x 8Bit 8-Pin VDFN T/R
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    8-WDFN Exposed Pad
    YES
    8
    Non-Volatile
    -20°C~70°C TA
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    Tin (Sn)
    OPERATING TEMP FOR WRITE OPERATION 0 TO 70
    2.45V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    2.6V
    1.27mm
    未说明
    2.6V
    3.6V
    2.45V
    SPI, Serial
    8Mb 1M x 8
    SYNCHRONOUS
    30MHz
    FLASH
    SPI
    8
    1ms
    8 Mb
    3V
    256B
    6mm
    5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    SST25VF080B-50-4I-S2AE
    Microchip Technology
    IC FLASH 8M SPI 50MHZ 8SOIC
    -
    6 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    -
    8
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2005
    e3
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    8
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    2.7V~3.6V
    DUAL
    260
    1
    -
    1.27mm
    40
    3.3V
    3.6V
    2.7V
    -
    8Mb 1M x 8
    -
    50MHz
    FLASH
    SPI
    1
    10μs
    8 Mb
    2.7V
    -
    5.275mm
    5.275mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    SST25
    SST25VF080B
    SERIAL
    85°C
    2.16mm
    无
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