LF444CN/NOPB备选型号: LMC660AIN/NOPB
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 功能数量
- 电源电压
- 基本部件号
- 引脚数量
- 电源
- 通道数量
- 工作电源电流
- 电源电流
- 功率耗散
- 输出电流
- 最大电源电流
- 压摆率
- 建筑学
- 放大器类型
- 共模拒绝率
- 输入偏正电流
- 电压 - 电源,单/双路(±)
- 输入失调电压(Vos)
- 负电源电压(Vsup)
- 统一增益 BW-(标准值)
- 电压增益
- 平均偏置电流-最大值 (IIB)
- 电源抑制比
- 低偏移
- 频率补偿
- 电源电压限制-最大值
- 电压 - 输入断态
- 低偏压
- 微功率
- 最大偏置电流 (IIB) @25C
- 可编程电源
- 双电源电压
- 最大负电源电压(Vsup)
- 输入失调电流-最大值(IIO)
- 宽度
- 长度
- 高度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- 无铅
- 端子表面处理
- 输出类型
- 每个通道的输出电流
- IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP6 WeeksACTIVE (Last Updated: 2 days ago)14-DIP (0.300, 7.62mm)通孔通孔Tin144.535924gBI-FET™Tube0°C~70°Ce3yes活跃1 (Unlimited)14EAR99670mWDUAL415VLF44414+-15V4600μA600μA670mW8mA1mA1V/μsVOLTAGE-FEEDBACKJ-FET70 dB10pA10V~36V ±5V~18V10mV-15V1000 kHz100dB0.00005μA70dBNOYES18V3mVYESYES0.0001μANO9V-18V0.00005μA6.35mm19.177mm5.33mm3.429mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅---
- IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14DIP6 WeeksACTIVE (Last Updated: 3 days ago)14-DIP (0.300, 7.62mm)通孔通孔-144.535924g-Tube-40°C~85°Ce3yes活跃1 (Unlimited)14EAR99-DUAL45VLMC660145/15V41.5mA1.5mA-40mA-1.1V/μsVOLTAGE-FEEDBACK通用型70 dB0.002pA4.75V~15.5V ±2.38V~7.75V1mV-1400 kHz126.02dB-70dBNOYES16V-YESYES-NO--0.000002μA6.35mm19.177mm5.33mm3.429mmROHS3 Compliant无无SVHC无铅Matte Tin (Sn)Rail-to-Rail40mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LMC660AIN/NOPB | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 14-DIP (0.300, 7.62mm) | IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14DIP | 对比 |
![]() | TL074CN | STMicroelectronics | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 14-DIP (0.300, 7.62mm) | IC OPAMP JFET 4 CIRCUIT 14DIP | 对比 |
![]() | LMC6484AIN | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 14-DIP (0.300, 7.62mm) | IC OPAMP GP 4 CIRCUIT 14DIP | 对比 |



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