LM5100ASD备选型号: LM5101ASD/NOPB
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 输出的数量
- 资历状况
- 输出电压
- 最大输出电流
- 电源电流
- 输出电流
- 传播延迟
- 静态电流
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 上升/下降时间(Typ)
- 信道型
- 接通时间
- 输出峰值电流限制-名
- 闸门类型
- 峰值输出电流(源极,漏极)
- 高边驱动器
- 关断时间
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 无铅代码
- 输出极性
- 高压侧电压-最大值(自举)
- 高度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON表面贴装表面贴装10-WDFN Exposed Pad10Half-Bridge-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)e0不用于新设计1 (Unlimited)10EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)9V~14VDUAL无铅260112V0.8mmnot_compliant未说明LM5100102不合格118V3A2mA3A20 ns200μANon-Inverting1 ns430ns260 ns430ns 260nsIndependent0.045 µs3AN-Channel MOSFET3A 3AYES0.045 µs4mm0.8mm4mmNon-RoHS Compliant含铅---------
- IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON表面贴装表面贴装10-WDFN Exposed Pad10Half-Bridge-40°C~125°C TJTape & Reel (TR)e4活跃1 (Unlimited)8EAR99Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)9V~14VDUAL-260112V0.8mm--LM510182--3A2mA3A26 ns200μANon-Inverting4 ns430ns260 ns430ns 260nsIndependent45 µs3AN-Channel MOSFET3A 3AYES45 µs4mm-4mmROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)16 WeeksyesTRUE118V800μm750μm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LM5101ASDX/NOPB | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 10-WDFN Exposed Pad | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON | 对比 |
![]() | UCC27201ADPRT | Texas Instruments | PMIC - 栅极驱动器 | 10-WDFN Exposed Pad | IC DVR HIGH/LOW SIDE 3A 10WSON | 对比 |




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