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首页 全部分类 LM5101ASD/NOPB vs LM5100ASD/NOPB

LM5101ASD/NOPB备选型号: LM5100ASD/NOPB

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
  • 电源电压
  • 端子间距
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 最大输出电流
  • 电源电流
  • 输出电流
  • 传播延迟
  • 静态电流
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 输出极性
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Texas Instruments
    LM5101ASD/NOPB
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    10-WDFN Exposed Pad
    10
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    9V~14V
    DUAL
    260
    1
    12V
    0.8mm
    LM5101
    8
    2
    3A
    2mA
    3A
    26 ns
    200μA
    Non-Inverting
    4 ns
    430ns
    260 ns
    TRUE
    430ns 260ns
    Independent
    45 µs
    3A
    N-Channel MOSFET
    3A 3A
    YES
    45 µs
    118V
    800μm
    4mm
    4mm
    750μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Texas Instruments
    LM5100ASD/NOPB
    Texas Instruments
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    10-WDFN Exposed Pad
    10
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    9V~14V
    DUAL
    260
    1
    12V
    0.8mm
    LM5100
    8
    2
    3A
    2mA
    3A
    20 ns
    200μA
    Non-Inverting
    1 ns
    430ns
    260 ns
    TRUE
    430ns 260ns
    Independent
    45 µs
    3A
    N-Channel MOSFET
    3A 3A
    YES
    45 µs
    118V
    800μm
    4mm
    4mm
    750μm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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