M25P16-VME6G备选型号: SST25VF016B-75-4I-QAF
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- 底架
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- 包装/外壳
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- ECCN 代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
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- 功能数量
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- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
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- 写入周期时间 - 最大值
- 数据保持时间
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- 页面尺寸
- 座位高度(最大)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 数据总线宽度
- 组织结构
- 编程电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 无铅
- MICRON M25P16-VME6G Flash Memory, 16 Mbit, 2M x 8bit, 75 MHz, Serial, SPI, VDFPN, 8 Pins表面贴装表面贴装8-VDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATray2007yesObsolete3 (168 Hours)8SMD/SMTEAR992.7V~3.6VDUAL26013V1.27mm30M25P1683.3V2.7VSPI, Serial16Mb 2M x 88mA75MHz15 nsFLASHSPI815ms, 5ms1b16 Mb0.00001ASynchronous8bSPI100000 Write/Erase Cycles15ms20HARDWARE/SOFTWARE256B1mm无SVHC无ROHS3 Compliant------------
- MICROCHIP - SST25VF016B-75-4I-QAF - MEMORY, FLASH, 16MBIT, SPI, 8WSON表面贴装表面贴装8-WDFN Exposed Pad8Non-Volatile-40°C~85°C TATube2005yesObsolete3 (168 Hours)8-EAR992.7V~3.6VDUAL-13V1.27mm-SST25VF016B83.3V-SPI, Serial16Mb 2M x 820mA80MHz6 nsFLASHSPI-10μs1b16 Mb0.00002ASynchronous8bSPI100000 Write/Erase Cycles-100HARDWARE/SOFTWARE--无SVHC无ROHS3 CompliantSST25e4镍钯金3.6V2.7V8b16MX12.7V6mm750μm5mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| M25PE16-VMW6G | Micron Technology Inc. | 存储器 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | MICRON - M25PE16-VMW6G - FLASH, SERIAL, 16MBIT, 8WSOIC | 对比 |




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