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首页 全部分类 MBT3906DW1T1 vs MUN5112DW1T1G

MBT3906DW1T1备选型号: MUN5112DW1T1G

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最小直流增益（hFE）
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MBT3906DW1T1
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    SOT-363-6
    YES
    6
    40V
    -400mV
    Cut Tape (CT)
    2007
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    150°C
    -55°C
    -40V
    150mW
    鸥翼
    240
    not_compliant
    -200mA
    30
    6
    不合格
    PNP
    Dual
    AMPLIFIER
    250MHz
    400mV
    200mA
    250MHz
    -40V
    5V
    30
    300ns
    70ns
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5112DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    -50V
    250mW
    鸥翼
    260
    -
    -100mA
    40
    6
    -
    PNP
    Dual
    SWITCHING
    -
    50V
    100mA
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2 Weeks
    表面贴装
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    MUN51**DW1T
    250mW
    无卤素
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    22k Ω
    -100mA
    22k Ω
    无
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