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首页 全部分类 MC100EL11DG vs 551MILF

MC100EL11DG备选型号: 551MILF

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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 类型
  • 端子表面处理
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 功能数量
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  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 电源电压-最大值(Vsup)
  • 电源
  • 电路数量
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 最大输入电压
  • 输入
  • 比率-输入：输出
  • 差分 - 输入：输出
  • 输入电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 电源电流
  • 家人
  • 输出特性
  • 逻辑IC类型
  • 最大 I(ol)
  • 同边偏斜-最大(tskwd)
  • 器件厚度
  • ON Semiconductor
    MC100EL11DG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MC100EL11DG IC, SM, LOGIC, ECL, CLOCK GEN
    ACTIVE (Last Updated: 13 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    142.994995mg
    -40°C~85°C
    Tube
    100EL
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    Fanout Buffer (Distribution)
    Tin (Sn)
    4.2V~5.7V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    5V
    1.5GHz
    40
    MC100EL11
    ECL, PECL
    8
    2
    5.7V
    -4.5V
    1
    31mA
    340 ps
    385 ps
    4.12V
    ECL, PECL
    1:2
    Yes/Yes
    26mA
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Integrated Device Technology (IDT)
    551MILF
    Integrated Device Technology (IDT)
    Clock Buffer 1 TO 4 CLOCK BUFFER
    -
    7 Weeks
    表面贴装
    -
    SOIC
    8
    -
    -
    -
    -
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    -
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    1
    3.3V
    -
    -
    -
    -
    8
    4
    -
    3.3/5V
    1
    -
    4 ns
    8 ns
    -
    CMOS
    -
    -
    -
    -
    4.9mm
    3.9mm
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    Tin
    160MHz
    EAR99
    85°C
    -40°C
    INDUSTRIAL
    5.5V
    3V
    18mA
    551
    3-STATE
    低时序偏斜时钟驱动器
    0.035 A
    0.25 ns
    1.5mm
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