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MCP14E10T-E/SN备选型号: MCP14E10-E/SN

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  • 电源电流
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  • 上升时间
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  • 接口IC类型
  • 信道型
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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
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  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 引脚数
  • 输出的数量
  • 输出电压
  • 传播延迟
  • 接通延迟时间
  • 输入偏置电流
  • 输入电流
  • 高度
  • 达到SVHC
  • Microchip Technology
    MCP14E10T-E/SN
    Microchip Technology
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    9 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    699mW
    4.5V~18V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    12V
    40
    MCP14E10
    8
    R-PDSO-G8
    不合格
    3A
    4.5/18V
    1.8mA
    3A
    1.8mA
    Non-Inverting
    14ns
    17 ns
    25ns 25ns
    基于半桥的mosfet驱动器
    Independent
    2
    0.04 μs
    3A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 3A
    YES
    0.04 μs
    4.9mm
    1.75mm
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    MCP14E10-E/SN
    Microchip Technology
    IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
    9 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    699mW
    4.5V~18V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    12V
    40
    MCP14E10
    8
    -
    不合格
    3A
    -
    1.8mA
    3A
    1.8mA
    Non-Inverting
    14ns
    17 ns
    25ns 25ns
    基于半桥的mosfet驱动器
    Independent
    -
    0.04 μs
    3A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    3A 3A
    YES
    0.04 μs
    4.9mm
    -
    3.9mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    8
    2
    18V
    65 ns
    65 ns
    10μA
    1μA
    1.25mm
    无SVHC
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