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首页 全部分类 MD1210K6-G vs ISL6700IR

MD1210K6-G备选型号: ISL6700IR

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  • 工作电源电流
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  • 长度
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  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 最高工作温度
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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 资历状况
  • 温度等级
  • 最大电源电压
  • 接通延迟时间
  • 电压 - 输出
  • 接通时间
  • 关断时间
  • 无铅
  • Microchip Technology
    MD1210K6-G
    Microchip Technology
    MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Inv 12-Pin QFN EP T/R
    1 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    12-VQFN Exposed Pad
    12
    21.99923mg
    Half-Bridge
    -20°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    4.5V~13V
    QUAD
    260
    1
    12V
    0.8mm
    40
    MD1210
    2A
    12V
    550μA
    550μA
    2A
    7 ns
    Non-Inverting
    6ns
    6 ns
    6ns 6ns
    和基于栅极的mosfet驱动器
    Independent
    2
    2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    2A 2A
    YES
    4mm
    1mm
    4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Intersil (Renesas Electronics America)
    ISL6700IR
    Intersil (Renesas Electronics America)
    IC DRIVER HALF BRIDGE DUAL 12QFN
    -
    表面贴装
    -
    VQFN
    12
    -
    2.976W
    -
    -
    2001
    e0
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    12
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -
    QUAD
    240
    1
    12V
    0.8mm
    未说明
    -
    -
    -
    -
    3mA
    1.4A
    -
    -
    20ns
    20 ns
    -
    基于半桥的mosfet驱动器
    -
    -
    1.4A
    -
    -
    YES
    4mm
    1mm
    4mm
    -
    符合RoHS标准
    125°C
    -40°C
    无铅
    12
    2
    不合格
    AUTOMOTIVE
    15V
    20 ns
    100mV
    0.095 µs
    0.09 µs
    含铅
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