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首页 全部分类 MDD200-16N1 vs APTDR90X1601G

MDD200-16N1备选型号: APTDR90X1601G

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
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  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 反向电压
  • 二极管配置
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 最大浪涌电流
  • 反向电压(直流电)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • IXYS
    MDD200-16N1
    IXYS
    DIODE MODULE 1.6KV 224A Y4-M6
    24 Weeks
    Chassis Mount, Panel, Screw
    底座安装
    Y4-M6
    3
    SILICON
    2
    Bulk
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    150°C
    -40°C
    HIGH POWER
    UL 认证
    8541.10.00.80
    UPPER
    UNSPECIFIED
    未说明
    未说明
    MDD200
    3
    不合格
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    20mA @ 1600V
    1.3V @ 300A
    ISOLATED
    224A
    1600V
    1.3V
    1.6kV
    224A
    1
    20mA
    1.6kV
    11.2kA
    1.6kV
    1 Pair Series Connection
    30mm
    94mm
    34mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTDR90X1601G
    Microsemi Corporation
    BRIDGE RECT 3PHASE 1.6KV 90A SP1
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP1
    12
    SILICON
    1
    Bulk
    1997
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    12
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    UPPER
    THROUGH-HOLE
    -
    -
    -
    12
    -
    -
    三相
    50μA @ 1600V
    1.3V @ 90A
    ISOLATED
    90A
    -
    1.3V
    -
    90A
    3
    50μA
    1.6kV
    850A
    -
    -
    11.5mm
    51.6mm
    40.8mm
    符合RoHS标准
    -40°C~150°C TJ
    e1
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    Single
    850A
    1.6kV
    无
    无铅
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