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首页 全部分类 MMBT3904TT1G vs RN1102,LF(CT

MMBT3904TT1G备选型号: RN1102,LF(CT

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 极性
  • 最大集极截止电流
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    MMBT3904TT1G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 40V 0.2A SOT416
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    YES
    3
    4.535924g
    SILICON
    40V
    300mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    SMD/SMT
    EAR99
    40V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    200mA
    300MHz
    40
    MMBT3904
    3
    Single
    300mW
    AMPLIFIER
    300MHz
    NPN
    NPN
    40V
    200mA
    100 @ 10mA 1V
    300mV @ 5mA, 50mA
    300MHz
    40V
    60V
    6V
    250ns
    70ns
    800μm
    1.65mm
    900μm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1102,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor
    -
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    SC-75, SOT-416
    -
    -
    -
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2014
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    300mV @ 250μA, 5mA
    -
    50V
    -
    10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    表面贴装
    NPN
    500nA
    250MHz
    10 k Ω
    100mA
    10 k Ω
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