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首页 全部分类 MMBT4403LT3G vs DDTB123EC-7-F

MMBT4403LT3G备选型号: DDTB123EC-7-F

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  • 最大功率耗散
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  • 元素配置
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  • 晶体管应用
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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 集电极-基极电容-最大值
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  • 长度
  • 宽度
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 极性
  • 最大集极截止电流
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • ON Semiconductor
    MMBT4403LT3G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 40V 0.6A SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    10 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    4.535924g
    SILICON
    40V
    -750mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -40V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    600mA
    200MHz
    MMBT4403
    3
    Single
    300mW
    SWITCHING
    200MHz
    PNP
    PNP
    40V
    600mA
    100 @ 150mA 2V
    750mV @ 50mA, 500mA
    200MHz
    40V
    40V
    5V
    255ns
    8.5pF
    1.11mm
    3.04mm
    2.64mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DDTB123EC-7-F
    Diodes Incorporated
    Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 2.2K
    -
    6 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    3
    7.994566mg
    -
    50V
    -
    -
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    DTB123
    3
    Single
    -
    -
    -
    -
    PNP - Pre-Biased
    300mV
    500mA
    39 @ 50mA 5V
    300mV @ 2.5mA, 50mA
    200MHz
    50V
    -
    -
    -
    -
    1mm
    3.05mm
    1.4mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    8541.21.00.75
    260
    not_compliant
    40
    不合格
    PNP
    500nA
    200MHz
    2.2 k Ω
    500mA
    2.2 k Ω
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