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首页 全部分类 MMBT8099LT1G vs MMBTA06LT1G

MMBT8099LT1G备选型号: MMBTA06LT1G

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  • 已出版
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  • 最大功率耗散
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 频率
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MMBT8099LT1G
    ON Semiconductor
    ON Semi MMBT8099LT1G NPN Bipolar Transistor; 0.5 A; 80 V; 3-Pin SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    2 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    4.535924g
    SILICON
    80V
    400mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    80V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    500mA
    150MHz
    40
    MMBT8099
    3
    Single
    225mW
    AMPLIFIER
    150MHz
    NPN
    NPN
    80V
    500mA
    100 @ 1mA 5V
    100nA
    400mV @ 5mA, 100mA
    150MHz
    80V
    80V
    6V
    1.01mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    MMBTA06LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 80V 0.5A SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    -
    SILICON
    80V
    250mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    80V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    500mA
    100MHz
    40
    MMBTA06
    3
    Single
    300mW
    AMPLIFIER
    100MHz
    NPN
    NPN
    80V
    500mA
    100 @ 100mA 1V
    100nA
    250mV @ 10mA, 100mA
    100MHz
    80V
    80V
    4V
    1.016mm
    3.0226mm
    1.397mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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MMBTA06LT3G MMBTA06LT3G ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS NPN 80V 0.5A SOT-23 对比