MMIX1F40N110P备选型号: MCH3333A-TL-W

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 宽度
  • 高度
  • 长度
  • RoHS状态
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 阈值电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • IXYS
    MOSFET SMPD MOSFETs Power Device
    30 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    24-PowerSMD, 21 Leads
    24
    SILICON
    24A Tc
    6.5V @ 1mA
    2012
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    HiPerFET™, PolarP2™
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    雪崩 额定
    DUAL
    鸥翼
    R-PDSO-G21
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    53 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    290m Ω @ 20A, 10V
    19000pF @ 25V
    310nC @ 10V
    1100V
    ±30V
    24A
    40V
    0.29Ohm
    100A
    1100V
    2000 mJ
    23.25mm
    5.7mm
    25.25mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 30V 2A MCPH3
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    70
    -
    2A Ta
    1.3V @ 1mA
    2017
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    ACTIVE (Last Updated: 8 hours ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    5.7 ns
    P-Channel
    -
    215m Ω @ 1A, 4V
    240pF @ 10V
    2.8nC @ 4V
    30V
    ±10V
    2A
    10V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    e6
    yes
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    9.7ns
    16 ns
    -1.3V
    无SVHC
    无铅
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