MR0A08BCSO35备选型号: IS62WV5128DBLL-45T2LI

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  • ECCN 代码
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  • 电压 - 供电
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 电源电压
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  • 引脚数量
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  • 座位高度(最大)
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  • 底架
  • 端口的数量
  • 电源电流
  • 输出特性
  • 地址总线宽度
  • 密度
  • I/O类型
  • 同步/异步
  • 字长
  • 辐射硬化
  • Everspin Technologies Inc.
    NVRAM 3.3V 1Mb (128Kx8) MRAM
    表面贴装
    32-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    YES
    32
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2013
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    32
    EAR99
    600mW
    3V~3.6V
    DUAL
    未说明
    1
    3.3V
    1.25mm
    未说明
    32
    不合格
    3.6V
    3.3V
    3V
    1Mb 128K x 8
    ASYNCHRONOUS
    RAM
    Parallel
    8b
    128KX8
    8
    35ns
    0.007A
    1048576 bit
    35 ns
    20.726mm
    2.286mm
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 4M-bit 512K x 8 45ns 32-Pin TSOP-II
    表面贴装
    32-SOIC (0.400, 10.16mm Width)
    -
    32
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    Discontinued
    3 (168 Hours)
    32
    -
    -
    2.3V~3.6V
    DUAL
    -
    1
    3V
    -
    -
    32
    -
    3.6V
    2.5/3.3V
    2.3V
    4Mb 512K x 8
    -
    SRAM
    Parallel
    -
    -
    8
    45ns
    0.000007A
    -
    45 ns
    20.95mm
    -
    ROHS3 Compliant
    表面贴装
    1
    20mA
    3-STATE
    19b
    4 Mb
    COMMON
    Asynchronous
    8b
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