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首页 全部分类 MRF21030LR3 vs NTD20N06LT4G

MRF21030LR3备选型号: NTD20N06LT4G

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  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MRF21030LR3
    NXP USA Inc.
    Transistors RF MOSFET 30W 2.2GHZ LDMOS NI400L
    NI-400
    65V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2.14GHz
    250mA
    LDMOS
    13dB
    30W
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD20N06LT4G
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    20A Ta
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    YES
    3
    SILICON
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    2
    EAR99
    37.5MOhm
    60V
    鸥翼
    260
    20A
    40
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    9.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    48m Ω @ 10A, 5V
    2V @ 250μA
    990pF @ 25V
    32nC @ 5V
    98ns
    ±15V
    62 ns
    20A
    1.6V
    15V
    60V
    60A
    1.6 V
    2.2606mm
    6.7056mm
    6.223mm
    无SVHC
    无
    无铅
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