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MRF5S9080NBR1备选型号: NID6002NT4G

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  • 漏源电阻
  • 特征
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MRF5S9080NBR1
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin TO-272 W T/R
    10 Weeks
    TO-272BB
    YES
    SILICON
    1
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    DUAL
    FLAT
    260
    960MHz
    40
    R-PDFM-F4
    不合格
    SINGLE
    增强型MOSFET
    SOURCE
    600mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS
    18.5dB
    65V
    80W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    26V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    NID6002NT4G
    ON Semiconductor
    IC FET SGL N-CH 6.5A 65V DPAK
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    -
    840 ns
    Tape & Reel (TR)
    2002
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -55°C~150°C TJ
    HDPlus™
    yes
    185mOhm
    65V
    2.5W
    6.5A
    NID6002N
    3
    1
    N-Channel
    6.5A
    On/Off
    Single
    低侧
    2.5W
    不需要
    Non-Inverting
    96 ns
    通用型
    250ns
    60V
    660 ns
    6.5A
    1.85V
    1:1
    14V
    60V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    70V
    185m Ω
    210mOhm
    Auto Restart, Slew Rate Controlled
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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