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首页 全部分类 MRF7S21080HSR3 vs RFD16N05LSM9A

MRF7S21080HSR3备选型号: RFD16N05LSM9A

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  • 操作温度
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  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    MRF7S21080HSR3
    NXP USA Inc.
    Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R
    NI-780S
    65V
    Tape & Reel (TR)
    2009
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8541.29.00.75
    2.17GHz
    MRF7S21080
    800mA
    LDMOS
    18dB
    22W
    28V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFD16N05LSM9A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 50V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    16A Tc
    Tape & Reel (TR)
    2003
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3
    260.37mg
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    2
    47MOhm
    Tin (Sn)
    MEGAFET
    50V
    鸥翼
    16A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    47m Ω @ 16A, 5V
    2V @ 250mA
    80nC @ 10V
    30ns
    ±10V
    14 ns
    16mA
    2V
    TO-252AA
    10V
    50V
    45A
    2 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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