MRFE6VP6300HR5备选型号: MRFE6VP5600HR6

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 测试电流
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 增益
  • DS 击穿电压-最小值
  • 功率 - 输出
  • 场效应管技术
  • 电压-测试
  • RoHS状态
  • 最大耗散功率(Abs)
  • NXP USA Inc.
    RF POWER FET, N CH, 125V, NI-780-4 - More Details
    10 Weeks
    NI780-4
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    不适用
    4
    EAR99
    8541.29.00.75
    FLAT
    260
    230MHz
    40
    MRFE6VP6300
    R-CDFM-F4
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    增强型MOSFET
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS (Dual)
    26.5dB
    130V
    300W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    50V
    ROHS3 Compliant
    -
  • NXP USA Inc.
    RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230H
    10 Weeks
    NI-1230-4H
    YES
    SILICON
    2
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    不适用
    4
    EAR99
    8541.29.00.75
    FLAT
    260
    230MHz
    40
    MRFE6VP5600
    R-CDFM-F4
    不合格
    COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
    增强型MOSFET
    SOURCE
    100mA
    AMPLIFIER
    N-CHANNEL
    LDMOS (Dual)
    25dB
    130V
    600W
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    50V
    ROHS3 Compliant
    1670W
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MRFE6VP5600HR5 MRFE6VP5600HR5 NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NI-1230-4H FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230 对比
MRFE6VP5600HSR5 MRFE6VP5600HSR5 NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 NI-1230-4S RF MOSFET Transistors VHV6 600W 50V NI1230HS 对比