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首页 全部分类 MSB1218A-RT1G vs MSA1162GT1G

MSB1218A-RT1G备选型号: MSA1162GT1G

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  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 晶体管类型
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  • 最大集极截止电流
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  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 频率
  • 基本部件号
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • ON Semiconductor
    MSB1218A-RT1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    SILICON
    45V
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1997
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -45V
    150mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    3
    Single
    150mW
    AMPLIFIER
    PNP
    PNP
    45V
    100mA
    210 @ 2mA 10V
    100μA
    500mV @ 10mA, 100mA
    100MHz
    45V
    7V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MSA1162GT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 50V 0.1A SC59
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    50V
    500mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -50V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    3
    Single
    200mW
    AMPLIFIER
    PNP
    PNP
    50V
    100mA
    200 @ 2mA 6V
    100nA
    500mV @ 10mA, 100mA
    80MHz
    60V
    7V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    80MHz
    MSA1162
    80MHz
    50V
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