MT29F1G08ABAEAWP:E备选型号: M29W320EB70N6E
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 电压 - 供电
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 工作电源电压
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流
- 内存格式
- 内存接口
- 组织结构
- 内存宽度
- 地址总线宽度
- 密度
- 同步/异步
- 字长
- 编程电压
- 页面尺寸
- 长度
- 座位高度(最大)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 表面安装
- 无铅代码
- 终端
- 附加功能
- 引脚数量
- 电源
- 电压
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 待机电流-最大值
- 访问时间(最大)
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 准备就绪/忙碌
- 引导模块
- 通用闪存接口
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M x 8bit6 Weeks表面贴装表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Non-Volatile0°C~70°C TATray2013e3活跃3 (168 Hours)483A991.B.1.A哑光锡8542.32.00.512.7V~3.6VDUAL26013.3V0.5mm30MT29F1G083.3V3.6V2.7V1Gb 128M x 835mAFLASHParallel128MX8828b1 GbAsynchronous8b2.7V2kB18.4mm1.2mm无ROHS3 Compliant----------------------
- MICRON M29W320EB70N6EFlash Memory, Boot Block, NOR, 32 Mbit, 4M x 8bit / 2M x 16bit, CFI, Parallel, TSOP, 48 Pins--表面贴装48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)48Non-Volatile-40°C~85°C TATray2007e4Obsolete3 (168 Hours)483A991.B.1.ANickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)8542.32.00.512.7V~3.6VDUAL26013V0.5mm30M29W320---32Mb 4M x 8 2M x 1610mAFLASHParallel2MX1616-32 MbAsynchronous---18.4mm1.2mm无ROHS3 CompliantYESyesSMD/SMT底部启动区块483/3.3V2.7V70ns0.0001A70 ns8YESYESYES8638K64KYESBOTTOMYES12mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST39VF3202B-70-4C-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC FLASH 32M PARALLEL 48TSOP | 对比 |
![]() | SST39VF1601C-70-4C-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MICROCHIP SST39VF1601C-70-4C-EKEFlash Memory, 16 Mbit, 1M x 16bit, 5 MHz, Parallel, TSOP, 48 Pins | 对比 |
![]() | SST39VF800A-70-4I-EKE | Microchip Technology | 存储器 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | MICROCHIP SST39VF800A-70-4I-EKEFlash Memory, 8 Mbit, 512K x 16bit, CFI, TSOP, 48 Pins | 对比 |





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