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首页 全部分类 MT29F4G08ABBEAH4:E vs MT29F4G16ABBDAH4-IT:D

MT29F4G08ABBEAH4:E备选型号: MT29F4G16ABBDAH4-IT:D

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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
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  • 电源电流
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  • 同步/异步
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  • 数据轮询
  • 拨动位
  • 命令用户界面
  • 扇区/尺寸数
  • 行业规模
  • 准备就绪/忙碌
  • 长度
  • 座位高度(最大)
  • 辐射硬化
  • Micron Technology Inc.
    MT29F4G08ABBEAH4:E
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 512M x 8Bit 63-Pin VFBGA
    9 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    63-VFBGA
    63
    63-VFBGA (9x11)
    Non-Volatile
    0°C~70°C TA
    Bulk
    2013
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    70°C
    0°C
    1.7V~1.95V
    MT29F4G08
    1.8V
    Parallel
    1.95V
    1.7V
    4Gb 512M x 8
    FLASH
    Parallel
    4 Gb
    4kB
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Micron Technology Inc.
    MT29F4G16ABBDAH4-IT:D
    Micron Technology Inc.
    SLC NAND Flash Parallel 1.8V 4Gbit 256M x 16bit 25ns 63-Pin VFBGA
    4 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    63-VFBGA
    63
    -
    Non-Volatile
    -40°C~85°C TA
    Bulk
    2011
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    1.7V~1.95V
    MT29F4G16
    1.8V
    -
    -
    -
    4Gb 256M x 16
    FLASH
    Parallel
    4 Gb
    2kB
    ROHS3 Compliant
    e1
    yes
    63
    3A991.B.1.A
    锡银铜
    8542.32.00.51
    BOTTOM
    260
    1
    1.8V
    0.8mm
    30
    1.95V
    1.7V
    20mA
    25 ns
    256MX16
    16
    1b
    0.00005A
    Asynchronous
    16b
    NO
    NO
    YES
    4K
    64K
    YES
    11mm
    1mm
    无
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MT29F4G16ABAEAH4:E MT29F4G16ABAEAH4:E Micron Technology Inc. 存储器 63-VFBGA SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 256M x 16bit 对比