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MT8HTF6464HDZ-667G1备选型号: MT4HTF6464HZ-800H1
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- 温度等级
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- 最小电源电压
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- 组织结构
- 输出特性
- 内存宽度
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- 记忆密度
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- I/O类型
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- RoHS状态
- 无铅
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- 无铅代码
- 端子表面处理
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- 功能数量
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- 端口的数量
- 访问时间
- 刷新周期
- 长度
- 座位高度(最大)
DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMMSocket200-SODIMM200DDR2 SDRAM2014Obsolete1 (Unlimited)20070°C0°CDUAL1.8V0.6mm1.8VCOMMERCIAL1.9V1.7V512MB667MT/s333MHz64b64MX643-STATE640.056A4294967296 bit667MHz0.45 nsCOMMON无ROHS3 Compliant无铅------------
DRAM Module DDR2 SDRAM 512Mbyte 200SODIMMSocket200-SODIMM200DDR2 SDRAM2010Obsolete3 (168 Hours)20070°C0°CZIG-ZAG1.8V0.6mm1.8VCOMMERCIAL1.9V1.7V512MB800MT/s-64b-3-STATE640.028A-800MHz-COMMON无ROHS3 Compliant无铅e3yesMatte Tin (Sn)SELF REFRESH; WD-MAX2601301900 ns819267.6mm30.15mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT16HTF25664AZ-800H1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 240-UDIMM | MODULE DDR2 SDRAM 2GB 240UDIMM | 对比 |
 | MT16HTF25664HZ-667H1 | Micron Technology Inc. | 存储器 - 模块 | 200-SODIMM | MODULE DDR2 SDRAM 2GB 200SODIMM | 对比 |
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