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MTP6P20E备选型号: RCX081N20

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  • 端子位置
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • HTS代码
  • DS 击穿电压-最小值
  • ON Semiconductor
    MTP6P20E
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 200V 6A TO-220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e0
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    -200V
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    -6A
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    P-Channel
    SWITCHING
    1 Ω @ 3A, 10V
    4V @ 250μA
    750pF @ 25V
    30nC @ 10V
    32ns
    200V
    ±20V
    6A
    TO-220AB
    6A
    1Ohm
    21A
    180 mJ
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    RCX081N20
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 8A TO220
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    SILICON
    8A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    SINGLE
    未说明
    -
    -
    未说明
    -
    R-PSFM-T3
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    770m Ω @ 4A, 10V
    5.25V @ 1mA
    330pF @ 25V
    8.5nC @ 10V
    -
    200V
    ±30V
    8A
    TO-220AB
    8A
    0.77Ohm
    32A
    5.17 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    8541.29.00.95
    200V
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