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首页 全部分类 MTW32N20E vs IPW65R065C7XKSA1

MTW32N20E备选型号: IPW65R065C7XKSA1

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  • Vgs（最大值）
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  • 长度
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  • 无铅
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  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    MTW32N20E
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 200V 32A TO-247
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2000
    e0
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    雪崩 额定
    200V
    235
    not_compliant
    32A
    30
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    180W
    DRAIN
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    75m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 250μA
    5000pF @ 25V
    120nC @ 10V
    120ns
    ±20V
    91 ns
    32A
    TO-247AE
    20V
    0.075Ohm
    200V
    128A
    810 mJ
    20.3mm
    15.9mm
    5.3mm
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R065C7XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V TO-247-3
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    33A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2008
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    17 ns
    N-Channel
    -
    65mOhm @ 17.1A, 10V
    4V @ 850μA
    3020pF @ 400V
    64nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    7 ns
    33A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    PG-TO247-3
    CoolMOS™ C7
    150°C
    -55°C
    无卤素
    650V
    650V
    3.02nF
    58mOhm
    65 mΩ
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