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MUN5134DW1T1G备选型号: MUN5135DW1T1G

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大击穿电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    MUN5134DW1T1G
    ON Semiconductor
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    30 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
    -50V
    250mW
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    MUN51**DW1T
    6
    不合格
    PNP
    Dual
    250mW
    SWITCHING
    无卤素
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    250mV
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 1mA, 10mA
    22k Ω
    -100mA
    47k Ω
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MUN5135DW1T1G
    ON Semiconductor
    BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/2.2KOHM, SOT363 - More Details
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.047
    -50V
    250mW
    鸥翼
    260
    -100mA
    40
    MUN51**DW1T
    6
    -
    PNP
    Dual
    250mW
    SWITCHING
    无卤素
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    2.2k Ω
    -100mA
    47k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    50V
    无
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