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MUN5136T1G备选型号: SMUN5114T3G

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  • 终端形式
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  • 功率耗散
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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MUN5136T1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC70 BR XSTR PNP 50V
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    202mW
    DUAL
    鸥翼
    3
    PNP
    Single
    202mW
    SWITCHING
    无卤素
    PNP - Pre-Biased
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    100 k Ω
    100mA
    100 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    SMUN5114T3G
    ON Semiconductor
    Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    YES
    3
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    -
    202mW
    -
    -
    3
    PNP
    Single
    -
    -
    无卤素
    PNP - Pre-Biased
    250mV
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    10 k Ω
    -
    47 k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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