MUN5235DW1T1备选型号: SBC847BPDW1T3G
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 系列
- 无铅代码
- 增益带宽积
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36350VTape & Reel (TR)2005e0Obsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)150°C-55°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.3650V250mW鸥翼240not_compliant100mA30MUN52**DW1T6R-PDSO-G6不合格NPNDual187mWSWITCHING2 NPN - Pre-Biased (Dual)250mV100mA80 @ 5mA 10V500nA250mV @ 300μA, 10mA2.2k Ω100mA47k ΩNon-RoHS Compliant含铅--------------
- Trans GP NPN/PNP 45V 0.1A 6-Pin SOT-363 T/R表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36345VTape & Reel (TR)2005e3活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)----380mW鸥翼--------NPN, PNPDual-AMPLIFIERNPN, PNP45V100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA---ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)8 Weeks67.512624mgSILICON600mV-55°C~150°C TJAutomotive, AEC-Q101yes100MHz100MHz50V-5V无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MUN5212DW1T1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | 对比 | |
![]() | MUN5237DW1T1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | 对比 |
| MUN5216DW1T1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | 对比 |



哦! 它是空的。