MUR160-T备选型号: DF10S2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 二极管元件材料
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 速度
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 箱体转运
- 正向电流
- 工作温度 - 结点
- 最大浪涌电流
- 输出电流-最大值
- 正向电压
- 最大反向电压(DC)
- 平均整流电流
- 反向恢复时间
- 峰值反向电流
- 最大重复反向电压(Vrrm)
- 峰值非恢复性浪涌电流
- 恢复时间
- 反向电压(直流电)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 操作温度
- 端子位置
- Reach合规守则
- JESD-30代码
- 配置
- 相位的数量
- Rep Pk反向电压-最大值
- 最大正向浪涌电流(Ifsm)
- 击穿电压-最小值
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO4110 Weeks通孔通孔DO-204AL, DO-41, Axial2299.994654mgSILICON1Tape & Reel (TR)2005e3no活跃1 (Unlimited)2通孔EAR99Matte Tin (Sn)175°C-65°C8541.10.00.80WIRE26040MUR1602SingleFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)Standard5μA @ 600V1.25V @ 1AISOLATED1A-65°C~175°C35A1A1.25V600V1A75 ns5μA600V35A75 ns600V2.72mm5.21mm2.72mm无ROHS3 Compliant无铅----------
- BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A 4SDIP13 Weeks通孔表面贴装4-SMD, Gull Wing-484mgSILICON4Tape & Reel (TR)2017e3yes活跃1 (Unlimited)4SMD/SMTEAR99Tin (Sn)--8541.10.00.80-260未说明----单相3μA @ 1000V1.1V @ 2A-2A-85A2A1.1V---3μA1kV--700V2.6mm8.51mm6.5mm-ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)-55°C~150°C TJDUALnot_compliantR-PDSO-G4BRIDGE, 4 ELEMENTS11000V85A1000V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KBP210G | Diodes Incorporated | 二极管 - 桥式整流器 | 4-SIP, KBP | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A KBP | 对比 |
| DF10S | ON Semiconductor | 二极管 - 桥式整流器 | 4-SMD, Gull Wing | BRIDGE RECT 1P 1KV 1.5A 4SDIP | 对比 | |
![]() | DF10M | Diodes Incorporated | 二极管 - 桥式整流器 | 4-EDIP (0.300, 7.62mm) | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DFM | 对比 |





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