MX29GL128EUT2I-11G备选型号: S29GL128P90TFIR10
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 包装/外壳
- 表面安装
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 类型
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 端子间距
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 工作电源电压
- 电源
- 温度等级
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 操作模式
- 访问时间
- 组织结构
- 内存宽度
- 密度
- 待机电流-最大值
- 并行/串行
- 内存IC类型
- 编程电压
- 备用内存宽度
- 数据轮询
- 拨动位
- 命令用户界面
- 扇区/尺寸数
- 行业规模
- 页面尺寸
- 准备就绪/忙碌
- 通用闪存接口
- 长度
- 座位高度(最大)
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 引脚数
- 操作温度
- 系列
- 电压 - 供电
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 内存大小
- 电源电流-最大值
- 内存格式
- 内存接口
- 写入周期时间 - 字符、页面
- 访问时间(最大)
- 达到SVHC
- MX29GL Series 3 V 128 Mb (16M x 8/8M x 16) 110ns Parallel Flash - TSOP-56TSOPYES85°CTray2009e3yes不用于新设计3 (168 Hours)563A991.B.1.ANOR型号Matte Tin (Sn)8542.32.00.51DUAL鸥翼26013V0.5mm4056R-PDSO-G56不合格3.6V1.8/3.33/3.3VINDUSTRIAL2.7VASYNCHRONOUS110 ns128MX1616128 Mb0.0001APARALLELFLASH3V8YESYESYES128128K8/16wordsYESYES18.4mm1.2mm14mm符合RoHS标准无铅----------------
- IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)-Non-VolatileTray2012e3-活跃3 (168 Hours)563A991.B.1.A--8542.32.00.51DUAL-26013.3V0.5mm40--不合格-3.3V-3VASYNCHRONOUS-128MX11128 Mb0.000005A--3V8YESYESYES128128K8/16wordsYESYES18.4mm1.2mm14mmROHS3 Compliant无铅12 WeeksTin表面贴装表面贴装56-40°C~85°C TAGL-P2.7V~3.6V3.6V128Mb 16M x 80.11mAFLASHParallel90ns90 ns无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| S29GL128N10TFI010 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP | 对比 | |
| S29GL128N11TFI020 | Cypress Semiconductor Corp | 存储器 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | IC FLASH 128M PARALLEL 56TSOP | 对比 | |
| IS42S81600F-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 存储器 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | DRAM 128M 16Mx8 143Mhz SDR SDRAM, 3.3V | 对比 |



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