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首页 全部分类 N02L63W3AB25I vs IS62WV2568BLL-55BLI

N02L63W3AB25I备选型号: IS62WV2568BLL-55BLI

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  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电源电压-最小值(Vsup)
  • 组织结构
  • 待机电压-最小值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    N02L63W3AB25I
    ON Semiconductor
    IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA
    表面贴装
    表面贴装
    48-LFBGA
    48
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    2008
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    48
    2.3V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    N02L63W3A
    48
    不合格
    3V
    3.6V
    2Mb 128K x 16
    1
    16mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    16
    55ns
    17b
    2 Mb
    14MHz
    70 ns
    COMMON
    Asynchronous
    16b
    8mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IS62WV2568BLL-55BLI
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
    IC SRAM 2M PARALLEL 36MINIBGA
    表面贴装
    表面贴装
    36-TFBGA
    36
    Volatile
    -40°C~85°C TA
    Tray
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    36
    2.5V~3.6V
    BOTTOM
    1
    3V
    0.75mm
    -
    36
    -
    3.3V
    3.6V
    2Mb 256K x 8
    1
    15mA
    SRAM
    Parallel
    3-STATE
    8
    55ns
    18b
    2 Mb
    -
    55 ns
    COMMON
    Asynchronous
    8b
    8mm
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    e1
    yes
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    260
    40
    2.5V
    256KX8
    1V
    无
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