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NCP5106BPG备选型号: TC1410NEPA

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  • 终止次数
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  • 引脚数量
  • 输出电压
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  • 电源电流
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  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 无卤素
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  • 上升/下降时间(Typ)
  • 信道型
  • 驱动器数量
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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 输出电流流向
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 最大功率耗散
  • 输出的数量
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 接口IC类型
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高边驱动器
  • ON Semiconductor
    NCP5106BPG
    ON Semiconductor
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    10 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    NCP5106
    8
    20V
    500mA
    15V
    5mA
    5mA
    170 ns
    Non-Inverting
    无卤素
    160ns
    75 ns
    85ns 35ns
    Independent
    2
    0.17 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    0.17 μs
    UNDER VOLTAGE
    600V
    水槽
    4.95mm
    10.16mm
    7.11mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microchip Technology
    TC1410NEPA
    Microchip Technology
    MICROCHIP - TC1410NEPA - MOSFET DRIVER, DIP-8
    -
    7 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    4.5V~16V
    DUAL
    1
    16V
    TC1410N
    8
    -
    500mA
    -
    1mA
    1mA
    40 ns
    Non-Inverting
    -
    35ns
    35 ns
    25ns 25ns
    Single
    1
    0.045 μs
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    0.045 μs
    -
    -
    -
    4.06mm
    10.16mm
    6.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    730mW
    2
    730mW
    45 ps
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    0.5A
    YES
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