NCV8408DTRKG备选型号: IRLR2905ZTRPBF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 功能数量
  • 端子间距
  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 输出的数量
  • 资历状况
  • 输出类型
  • 界面
  • 输出配置
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 接通延迟时间
  • 开关类型
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 比率-输入:输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
  • 驱动程序位数
  • 故障保护
  • 输出峰值电流限制-名
  • Rds On(Typ)
  • 关断时间
  • 内置保护器
  • 输出电流流向
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    Self-Protected Low Side Driver with Temperature and Current Limit
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 3 days ago)
    31 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    30 μs
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q100
    2008
    e3
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    1
    2.29mm
    not_compliant
    3
    R-PSSO-G2
    1
    不合格
    N-Channel
    On/Off
    低侧
    不需要
    10 μs
    通用型
    无卤素
    20μs
    1:1
    14V
    42V Max
    1
    Open Load Detect, Over Temperature, Over Voltage
    13A
    55m Ω
    60 µs
    TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
    SINK
    6.54mm
    6.095mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Infineon Technologies
    In a Tube of 75, N-Channel MOSFET, 60 A, 55 V, 3-Pin DPAK Infineon IRLR2905ZPBF
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    42A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    14 ns
    -
    -
    130ns
    -
    16V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    6.7056mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    表面贴装
    SILICON
    SMD/SMT
    13.5MOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ULTRA-LOW RESISTANCE
    55V
    260
    60A
    30
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    13.5m Ω @ 36A, 10V
    3V @ 250μA
    1570pF @ 25V
    35nC @ 5V
    ±16V
    33 ns
    42mA
    3V
    TO-252AA
    42A
    55V
    240A
    55V
    85 mJ
    33 ns
    3 V
    2.2606mm
    无SVHC
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