NDB5060L备选型号: IRLZ34NSPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- Trans MOSFET N-CH 60V 26A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON5V 10V-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)yes活跃1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容60V鸥翼26AR-PSSO-G260VSingle26A增强型MOSFET68WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 13A, 10V2V @ 250μA840pF @ 30V24nC @ 5V200ns±16V102 ns26A16V0.05Ohm60V无ROHS3 Compliant无铅-----------------
- MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTube-Discontinued1 (Unlimited)2EAR99LOGIC LEVEL COMPATIBLE, HIGH RELIABILITY, AVALANCHE RATED55V鸥翼30AR-PSSO-G2-Single-增强型MOSFET68WDRAIN8.9 nsN-ChannelSWITCHING35m Ω @ 16A, 10V2V @ 250μA880pF @ 25V25nC @ 5V100ns±16V29 ns30A16V-55V-ROHS3 Compliant无铅HEXFET®1997e3SMD/SMT60mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier26030不合格76 ns2V55V2 V4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HUF76419S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | 对比 |
![]() | HUFA76419S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 29A D2PAK | 对比 |




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