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首页 全部分类 NDD60N745U1T4G vs IPD60R600C6ATMA1

NDD60N745U1T4G备选型号: IPD60R600C6ATMA1

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  • 品牌:
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  • 工厂交货时间
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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • ON Semiconductor
    NDD60N745U1T4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 6.8A DPAK-3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    6.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    Obsolete
    3 (168 Hours)
    EAR99
    Tin (Sn)
    Single
    N-Channel
    745m Ω @ 3.25A, 10V
    4V @ 250μA
    440pF @ 50V
    15nC @ 10V
    600V
    ±25V
    6.6A
    6.8A
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R600C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    600m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    -
    ±20V
    7.3A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    3.949996g
    SILICON
    CoolMOS™ C6
    2
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-G2
    1
    增强型MOSFET
    63W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    9ns
    13 ns
    20V
    600V
    0.6Ohm
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