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首页 全部分类 NJW0302G vs 2SA1962-O(Q)

NJW0302G备选型号: 2SA1962-O(Q)

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • ON Semiconductor
    NJW0302G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - NJW0302G - TRANSISTOR, PNP, 250V, 15A, TO3P
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    26 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    250V
    1V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150W
    30MHz
    3
    Single
    150W
    AMPLIFIER
    30MHz
    PNP
    PNP
    250V
    15A
    75 @ 3A 5V
    10μA ICBO
    1V @ 500mA, 5A
    30MHz
    250V
    5V
    20.1mm
    15.8mm
    5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1962-O(Q)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
    -
    16 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    -
    3
    -
    SILICON
    230V
    -1.5V
    150°C TJ
    Tube
    2007
    -
    -
    活跃
    不适用
    3
    -
    -
    130W
    30MHz
    -
    Single
    130W
    AMPLIFIER
    30MHz
    PNP
    PNP
    230V
    15A
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    30MHz
    230V
    5V
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    -230V
    -15A
    2SA1962
    COLLECTOR
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