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首页 全部分类 NSS30100LT1G vs MMBTA64LT1G

NSS30100LT1G备选型号: MMBTA64LT1G

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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 极性
  • 频率转换
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NSS30100LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 30V 1A SOT-23
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    5 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    30V
    -650mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -30V
    310mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -1A
    100MHz
    40
    NSS30100
    3
    Single
    710mW
    310mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    PNP
    PNP
    30V
    1A
    100 @ 500mA 2V
    100nA
    650mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    30V
    50V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MMBTA64LT1G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    11 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    30V
    1.5V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -30V
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    -500mA
    -
    40
    MMBTA64
    3
    Single
    225mW
    -
    -
    无卤素
    -
    -
    PNP - Darlington
    30V
    500mA
    20000 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    1.5V @ 100μA, 100mA
    125MHz
    30V
    30V
    10V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PNP
    125MHz
    -500mA
    1.01mm
    3.04mm
    1.4mm
    无SVHC
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